[发明专利]置于集成电路产品中装置层级的电容器及其制作方法

权利要求书

1.一种集成电路产品，其包含：

置于半导体衬底上方的第一金属金属化层；

置于该衬底的表面和该第一金属金属化层的底部所界定的垂直空间中的电容器，该电容器包含以相对于该衬底的该表面实质垂直的方向定向的多个导电板；以及

置于该多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，该多个导电板包含至少两个导电板。

3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含置于该衬底中的隔离区，该多个导电板置于该隔离区上方。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述导电板的至少一导电板接触该隔离区。

5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含该衬底中的主动区，该多个导电板置于该主动区上方。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述导电板的至少一导电板接触该主动区。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，该多个导电板的第一个导电板由与形成于该衬底上方的晶体管的栅极电极具有相同结构的第一导电结构所组成。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，该第一导电结构具有大于该晶体管的栅极长度的宽度。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，该多个导电板的该第一个导电板具有与该晶体管的栅极接触件有相同结构的第二导电部分。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，该多个导电板的第一个导电板由与形成于该衬底上方的晶体管的栅极接触件具有相同结构的导电结构所组成。

11.根据权利要求7所述的装置，其中，该多个导电板的第二个导电板由与导电性耦接于该晶体管的源极/漏极区的源极/漏极互连件具有相同结构的第一导电部分所组成。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，该多个导电板的该第二个导电板由与导电性耦接于该晶体管的该源极/漏极互连件的源极/漏极接触件具有相同结构的第二导电部分所组成。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，该绝缘材料具有至少3.5的k值。

14.一种集成电路产品，其包含：

置于半导体衬底上方的第一金属金属化层；

置于该衬底中的隔离区；

置于该衬底的表面和该第一金属金属化层的底部所界定的垂直空间中的电容器，该电容器包含置于该隔离区上方并且以相对于该衬底的该表面实质垂直的方向定向的多个导电板；以及

置于该多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域，其中，该绝缘材料具有至少3.5的k值。

15.根据权利要求14所述的装置，其中，该多个导电板包含至少两个导电板。

16.根据权利要求14所述的装置，其中，所述导电板的至少一导电板接触该隔离区。

17.根据权利要求14所述的装置，其中，该多个导电板的第一个导电板由与形成于该衬底上方的晶体管的栅极电极具有相同结构的第一导电结构所组成。

18.根据权利要求17所述的装置，其中，该多个导电板的该第一个导电板具有与该晶体管的栅极接触件有相同结构的第二导电部分。

19.根据权利要求18所述的装置，其中，该多个导电板的第二个导电板由与导电性耦接于该晶体管的源极/漏极区的源极/漏极互连件具有相同结构的第一导电部分所组成。

20.根据权利要求19所述的装置，其中，该多个导电板的该第二个导电板由与导电性耦接于该晶体管的该源极/漏极互连件的源极/漏极接触件具有相同结构的第二导电部分所组成。

21.一种集成电路产品，其包含：

置于半导体衬底上方的第一金属金属化层；

置于该衬底中界定该衬底中主动区的隔离区；

置于该衬底的表面和该第一金属金属化层的底部所界定的垂直空间中的电容器，该电容器包含置于该主动区上方并且以相对于该衬底的该表面实质垂直的方向定向的多个导电板；以及

置于该多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域，其中，该绝缘材料具有至少3.5的k值。

22.根据权利要求21所述的装置，其中，该多个导电板包含至少两个导电板。