[发明专利]包括载子供应的半导体阵列排列有效
| 申请号: | 201310341386.8 | 申请日: | 2013-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN104347635B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
| 发明(设计)人: | 胡志玮;叶腾豪;施彦豪 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11529;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种包括载子供应的半导体阵列排列,是透过一空穴载子供应用于一存储器的薄膜晶体管基材存储装置。空穴载子供应可包括具有一第一端和一第二端的一二极管。一NAND串行由一第一末端上的一第一开关耦接于一位线,一第二末端上的一第二开关耦接于该二极管的该第一端。可个别驱动的一第一源极线和一第二源极线分别耦接于该二极管的该第一端和该第二端。耦接于第一、第二源极线的一电路是依据操作模式以不同偏压条件,包括顺向偏压条件或逆向偏压条件,对第一、第二源极线进行偏压。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 供应 半导体 阵列 排列 | ||
【主权项】:
一种包括载子供应的半导体阵列排列,包括:一二极管,具有一第一端和一第二端;一序列排列(series arrangement),包括多个存储单元,该序列排列由一第一末端上的一第一开关耦接于一位线,由一第二末端上的一第二开关耦接于该二极管的该第一端;一第一源极线和一第二源极线,分别连接于该二极管的该第一端和该第二端;多条字线,这些字线耦接于多个存储单元中对应的这些存储单元;以及一电路,耦接于这些字线、该第一源极线和该第二源极线,该电路是配置以在不同偏压条件下偏压该第一源极线和该第二源极线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





