[发明专利]侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位有效
| 申请号： | 201310322275.2 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN103575589A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | V·W·瑞安;H·盖斯勒;D·布罗伊尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G01N3/00 | 分类号： | G01N3/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位，其中，揭示于本文的一示范方法，除了别的以外，包括在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块与一测试探针接触同时使该测试探针沿着与该金属化系统的一平面有一实质非零角度的一路径以小于约1微米/秒的实质恒定速度移动。此外，该实质非零角度经建立成使该测试探针移动实质离开该金属化系统，以及在该横向力测试期间由该测试探针施加于该柱状凸块上的一力有在该金属化系统上诱发一拉伸负荷的一向上分量。此外，该方法也包括测定该柱状凸块与该金属化系统间在该横向力测试期间的一行为相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 金属化 系统 中的 异常 beol 部位 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含下列步骤：在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块的一侧面与一测试探针接触同时使该测试探针沿着与该金属化系统的一平面有一实质非零角度的一路径以小于约1微米/秒的实质恒定速度移动，其中，该实质非零角度经建立成使该测试探针实质移动离开该金属化系统，以及在该横向力测试期间由该测试探针施加于该柱状凸块上的一力包含远离该金属化系统及在其上诱发一拉伸负荷的一分量；以及测定该柱状凸块与该金属化系统间在该横向力测试期间的一行为相互作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310322275.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分立元件的选择性激光辅助的转移
- 下一篇：用于发动机阀致动的主和副摇臂组件
