[发明专利]侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位

权利要求书

1.一种方法，其包含下列步骤：

在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块的一侧面与一测试探针接触同时使该测试探针沿着与该金属化系统的一平面有一实质非零角度的一路径以小于约1微米/秒的实质恒定速度移动，其中，该实质非零角度经建立成使该测试探针实质移动离开该金属化系统，以及在该横向力测试期间由该测试探针施加于该柱状凸块上的一力包含远离该金属化系统及在其上诱发一拉伸负荷的一分量；以及

测定该柱状凸块与该金属化系统间在该横向力测试期间的一行为相互作用。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使该金属化系统的该平面在该横向力测试期间与一水平平面有一实质非零角度。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使该测试探针以小于约0.1微米/秒的一实质恒定速度移动。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，测定该柱状凸块与该金属化系统间的该行为相互作用的步骤包括：

测量该测试探针施加于该柱状凸块上的一力以及该测试探针在该横向力测试期间的一行进距离；以及

由测得的该力及该行进距离产生一力/距离反应曲线。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：产生一比较行为相互作用曲线，以及比较该柱状凸块与该金属化系统间的该行为相互作用和该比较行为相互作用曲线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，比较该柱状凸块与该金属化系统间的该行为相互作用和该比较行为相互作用曲线的步骤包括：测定构成该金属化系统的至少一材料的材料强度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，产生该比较行为相互作用曲线的步骤包括：

在形成于第一半导体芯片的第一金属化系统上方的多个第一柱状凸块中的每一者上进行第一横向力测试，其中，进行所述第一横向力测试中的每一者的步骤包括：使所述多个第一柱状凸块中的一者的一侧面与一第一测试探针接触同时使该第一测试探针以小于约1微米/秒的第一实质恒定速度移动；

测量该第一测试探针各自施加于所述多个第一柱状凸块中的一者上的一力以及在各个第一横向力测试期间的一行进距离；以及

用各自来自所述第一横向力测试中的一者的该力及该距离的测得数据来产生该比较行为相互作用曲线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使该第一测试探针移动的步骤包括：使该第一测试探针在各个第一横向力测试期间沿着实质平行于该第一金属化系统的一平面的一路径移动。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，该金属化系统包含多个金属化层，以及其中，所述金属化层中的至少一金属化层包含低k介电材料与超低k介电材料中的一者。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，进行该横向力测试的步骤包括：用包含一测试探针尖端的一测试探针接触该柱状凸块的一表面，该测试探针尖端适合在该横向力测试期间扣住该柱状凸块的该表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，进行该横向力测试的步骤包括：使该柱状凸块的该表面与包含一楔形测试探针尖端的一测试探针接触。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，进行该横向力测试的步骤包括：使该柱状凸块的该表面与包含一锯齿状测试探针尖端的一测试探针接触。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在该横向力测试期间，在该柱状凸块中形成一形状不对称缺口。