[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310318354.6 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681654A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 濑田涉二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/488 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够不增加布线图案宽度而提高半导体装置的芯片的管脚级的ESD耐性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置具有：多个焊盘；多个ESD保护电路，以使一个ESD保护电路对应于一个焊盘的方式，连接于多个焊盘；以及I／O电路，连接于将多个ESD保护电路的输出端彼此连接的连接部，输入向多个焊盘输入的至少一个输入信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：多个第一焊盘；多个ESD保护电路，以使一个ESD保护电路对应一个上述第一焊盘的方式连接于上述多个第一焊盘；以及I／O电路，连接于上述多个ESD保护电路的输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
