[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201310318354.6 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN103681654A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 濑田涉二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/488 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具有:
多个第一焊盘;
多个ESD保护电路,以使一个ESD保护电路对应一个上述第一焊盘的方式连接于上述多个第一焊盘;以及
I/O电路,连接于上述多个ESD保护电路的输出。
2.根据权利要求1记载的半导体装置,
还具备与上述多个第一焊盘连接的外部电极,
上述多个第一焊盘通过键合引线分别与上述外部电极连接。
3.根据权利要求1记载的半导体装置,还具有:
设置在上述多个第一焊盘间的开关部;以及
对上述开关部的开闭进行控制的开关控制部。
4.根据权利要求1记载的半导体装置,
上述多个第一焊盘沿上述半导体芯片的至少一边配置为直线状。
5.根据权利要求1记载的半导体装置,
上述多个第一焊盘配置在上述半导体装置的内部。
6.根据权利要求1记载的半导体装置,
上述多个第一焊盘的一部分沿上述半导体芯片的至少一边配置为直线状,上述多个第一焊盘的剩余的一部分配置在上述半导体装置的内部。
7.根据权利要求5记载的半导体装置,
配置在上述半导体装置的内部的上述多个第一焊盘层叠在配置有上述ESD保护电路的层之上。
8.根据权利要求6记载的半导体装置,
配置在上述半导体装置的内部的上述多个第一焊盘层叠在配置有上述ESD保护电路的层之上。
9.根据权利要求2记载的半导体装置,
上述外部电极包括球电极。
10.根据权利要求9记载的半导体装置,
上述外部电极形成在与上述多个ESD保护电路不同的层上。
11.根据权利要求10记载的半导体装置,
上述半导体装置以晶片级芯片尺寸封装WLCSP构成。
12.根据权利要求10记载的半导体装置,
上述外部电极包括输入信号的电极。
13.根据权利要求5记载的半导体装置,
上述半导体装置的半导体芯片具有矩形状,
上述多个第一焊盘沿与矩形的上述半导体芯片的至少一边正交的方向配置。
14.根据权利要求6记载的半导体装置,
上述半导体装置的半导体芯片具有矩形状,
上述多个第一焊盘沿与矩形的上述半导体芯片的至少一边正交的方向配置。
15.一种半导体装置,具备:
至少一个焊盘;
多个ESD保护电路;
开关部,插入上述多个ESD保护电路的输入部之间;以及
I/O电路,连接有上述多个ESD保护电路的输出端,
上述一个焊盘,与直接连接的第一ESD保护电路、和通过将上述开关部闭合而电连接的至少一个第二ESD保护电路连接。
16.根据权利要求15记载的半导体装置,
还具备与上述多个第一焊盘连接的外部电极,
上述多个第一焊盘通过键合引线分别与上述外部电极连接。
17.根据权利要求16记载的半导体装置,
上述外部电极包括球电极。
18.根据权利要求17记载的半导体装置,
上述外部电极形成在与上述多个ESD保护电路不同的层上。
19.根据权利要求18记载的半导体装置,
上述半导体装置以晶片级芯片尺寸封装WLCSP构成。
20.根据权利要求16记载的半导体装置,
上述外部电极包括输入信号的电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的