[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201310318354.6 申请日: 2013-07-26
公开(公告)号: CN103681654A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 濑田涉二 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/488
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有:

多个第一焊盘;

多个ESD保护电路,以使一个ESD保护电路对应一个上述第一焊盘的方式连接于上述多个第一焊盘;以及

I/O电路,连接于上述多个ESD保护电路的输出。

2.根据权利要求1记载的半导体装置,

还具备与上述多个第一焊盘连接的外部电极,

上述多个第一焊盘通过键合引线分别与上述外部电极连接。

3.根据权利要求1记载的半导体装置,还具有:

设置在上述多个第一焊盘间的开关部;以及

对上述开关部的开闭进行控制的开关控制部。

4.根据权利要求1记载的半导体装置,

上述多个第一焊盘沿上述半导体芯片的至少一边配置为直线状。

5.根据权利要求1记载的半导体装置,

上述多个第一焊盘配置在上述半导体装置的内部。

6.根据权利要求1记载的半导体装置,

上述多个第一焊盘的一部分沿上述半导体芯片的至少一边配置为直线状,上述多个第一焊盘的剩余的一部分配置在上述半导体装置的内部。

7.根据权利要求5记载的半导体装置,

配置在上述半导体装置的内部的上述多个第一焊盘层叠在配置有上述ESD保护电路的层之上。

8.根据权利要求6记载的半导体装置,

配置在上述半导体装置的内部的上述多个第一焊盘层叠在配置有上述ESD保护电路的层之上。

9.根据权利要求2记载的半导体装置,

上述外部电极包括球电极。

10.根据权利要求9记载的半导体装置,

上述外部电极形成在与上述多个ESD保护电路不同的层上。

11.根据权利要求10记载的半导体装置,

上述半导体装置以晶片级芯片尺寸封装WLCSP构成。

12.根据权利要求10记载的半导体装置,

上述外部电极包括输入信号的电极。

13.根据权利要求5记载的半导体装置,

上述半导体装置的半导体芯片具有矩形状,

上述多个第一焊盘沿与矩形的上述半导体芯片的至少一边正交的方向配置。

14.根据权利要求6记载的半导体装置,

上述半导体装置的半导体芯片具有矩形状,

上述多个第一焊盘沿与矩形的上述半导体芯片的至少一边正交的方向配置。

15.一种半导体装置,具备:

至少一个焊盘;

多个ESD保护电路;

开关部,插入上述多个ESD保护电路的输入部之间;以及

I/O电路,连接有上述多个ESD保护电路的输出端,

上述一个焊盘,与直接连接的第一ESD保护电路、和通过将上述开关部闭合而电连接的至少一个第二ESD保护电路连接。

16.根据权利要求15记载的半导体装置,

还具备与上述多个第一焊盘连接的外部电极,

上述多个第一焊盘通过键合引线分别与上述外部电极连接。

17.根据权利要求16记载的半导体装置,

上述外部电极包括球电极。

18.根据权利要求17记载的半导体装置,

上述外部电极形成在与上述多个ESD保护电路不同的层上。

19.根据权利要求18记载的半导体装置,

上述半导体装置以晶片级芯片尺寸封装WLCSP构成。

20.根据权利要求16记载的半导体装置,

上述外部电极包括输入信号的电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310318354.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top