[发明专利]存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法在审
申请号: | 201310311596.2 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103578523A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 崔明勋;郑宰镛;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4063;G11C11/413;G11C16/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括:具有多个存储器单元的存储器单元阵列;以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元,所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储,并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元,该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 存储系统 控制 读取 电压 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器件,包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;页面缓冲单元,其包括多个页面缓冲器,所述多个页面缓冲器配置为以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储,并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作;以及计数单元,其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310311596.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种固体酸酸压裂工艺方法
- 下一篇:安全元件的操作系统的更新