[发明专利]存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；

页面缓冲单元，其包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及

计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述逻辑操作是XOR操作，并且所述多个页面缓冲器中的每个页面缓冲器对以两个读取电压电平分别读取的两个数据片段执行所述XOR操作，所述两个读取电压电平为所述不同的读取电压电平中彼此相邻的两个读取电压电平，并且

所述计数单元对由关于所述多个段中的每一段的XOR操作所产生的结果“1”的数量进行计数。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述计数单元包括与对其执行读取操作的存储器单元阵列的扇区或页面的数量相对应的计数器。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，在所述存储器件中对所述不同的读取电压电平自动更新。

5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括电压电平确定单元，该电压电平确定单元配置为对施加于所述存储器单元阵列的不同的读取电压电平进行确定。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述电压电平确定单元包括：

起始电压存储单元，其配置为存储施加于所述存储器单元阵列的起始读取电压；

偏移存储单元，其配置为存储预定义的多个偏移电压；以及

加法单元，其配置为将所述多个偏移电压中的一个偏移电压与所述起始读取电压相加。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述起始电压存储单元存储所述起始读取电压的数字值，

所述偏移存储单元存储所述多个偏移电压的数字值，并且

所述电压电平确定单元还包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元配置为根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。

8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述起始读取电压被确定为关于不同的存储芯片而改变。

9.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述多个偏移电压被确定为关于不同的存储芯片是相同的。

10.根据权利要求1所述的存储器件，还包括低谷检测单元，该低谷检测单元配置为基于由所述计数单元所计数的存储器单元的数量来对与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷相对应的读取电压电平进行检测。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述低谷检测单元包括：

最小值存储单元，其配置为存储所述多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量的最小值；以及

最小偏移存储单元，其配置为将与所述多个段中具有所述最小值的段相对应的偏移存储为最小偏移。

12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述低谷检测单元还包括低谷存储单元，该低谷存储单元配置为基于所述最小偏移存储单元中所存储的最小偏移，来存储与所述低谷相对应的读取电压电平。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述低谷存储单元包括多个低谷存储装置，并且

所述多个低谷存储装置的数量与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷的数量相对应。

14.根据权利要求10所述的存储器件，还包括读取电压产生单元，该读取电压产生单元配置为向所述存储器单元阵列提供与所述低谷检测单元检测到的低谷相对应的读取电压电平。

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述读取电压产生单元包括：

初始读取电压存储单元，其配置为存储多个初始读取电压，所述多个初始读取电压分别与存储器单元的多个状态中的两个相邻状态之间的各个低谷相对应；

偏移存储单元，其配置为存储分别与所述各个低谷相对应的多个偏移；以及

加法单元，其配置为将所述多个偏移中的一个偏移与所述多个初始读取电压中的一个初始读取电压相加。