[发明专利]存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年7月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0080247号的优先权，其公开通过引用方式全部并入本申请中。

技术领域

本发明构思大体上涉及存储器件，更具体地，涉及存储器件、存储系统以及用于对存储器件的读取电压进行控制的方法。

背景技术

易失性存储器件的特征是在断电条件下所存储的内容会丢失。易失性存储器件的示例包括某些类型的随机存取存储器（RAM），例如静态RAM（SRAM）、动态RAM（DRAM）、同步DRAM（SDRAM）等。相反，非易失性存储器件的特征是即使在断电条件下也能保持所存储的内容。非易失性存储器件的示例包括只读存储器（ROM）、可编程ROM（PROM）、电可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）、闪存器件、相变RAM（PRAM）、磁性RAM（MRAM）、电阻式RAM（RRAM）、铁电RAM（FRAM）等。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器件，该存储器件包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元；页面缓冲单元，该页面缓冲单元包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。

所述多个页面缓冲器中的每个页面缓冲器都可以对以所述不同的读取电压电平中彼此相邻的两个读取电压电平分别读取的两个数据片段执行XOR操作，并且所述计数单元可以对由关于所述多个段中的每一段的XOR操作所产生的结果“1”的数量进行计数。

可以将所述多个存储器单元布置在多条字线和多条位线彼此交叉的区域中，并且所述多个页面缓冲器的数量可以与所述多条位线的数量相对应。

所述计数单元可以包括与对其执行读取操作的存储器单元阵列的扇区或页面的数量相对应的计数器。

可以在所述存储器件中对所述不同的读取电压电平自动更新。

所述存储器件还可以包括电压电平确定单元，该电压电平确定单元对施加于所述存储器单元阵列的不同的读取电压电平进行确定。

所述电压电平确定单元可以包括：起始电压存储单元，其存储施加于所述存储器单元阵列的起始读取电压；偏移存储单元，其存储预定义的多个偏移电压；以及加法单元，其将所述多个偏移电压中的一个偏移电压与所述起始读取电压相加。

所述起始电压存储单元可以存储所述起始读取电压的数字值,所述偏移存储单元可以存储所述多个偏移电压的数字值，并且所述电压电平确定单元还可以包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。

所述起始读取电压可以被确定为相对于不同的存储芯片而改变。所述多个偏移电压可以被确定为相对于不同的存储芯片是相同的。

所述存储器件还可以包括低谷检测单元，该低谷检测单元基于由所述计数单元所计数的存储器单元的数量来对与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷相对应的读取电压电平进行检测。

所述低谷检测单元可以包括：最小值存储单元，其存储所述多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量的最小值；以及最小偏移存储单元，其将与所述多个段中具有所述最小值的段相对应的偏移存储为最小偏移。所述低谷检测单元还可以包括低谷存储单元，该低谷存储单元基于所述最小偏移存储单元中所存储的最小偏移来存储与所述低谷相对应的读取电压电平。

所述低谷存储单元可以包括多个低谷存储装置，并且所述多个低谷存储装置的数量可以与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷的数量相对应。

每一个存储器单元都可以是n位存储器单元，所述低谷存储单元可以包括多个低谷存储装置，并且所述多个低谷存储装置的数量可以是2ⁿ-1。

所述存储器件还可以包括读取电压产生单元，该读取电压产生单元向所述存储器单元阵列提供与由所述低谷检测单元所检测到的低谷相对应的读取电压电平作为读取电压。