[发明专利]IGBT双管并联功率模块无效
| 申请号： | 201310309528.2 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104333236A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王博;张晋芳;王雷;陈嘉明 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT配置保护装置，IGBT配置保护装置上设有若干IGBT门极驱动电阻。本发明在配置保护装置上配置不同厂家所匹配的门极驱动电阻，使IGBT双管并联功率模块具有更好的兼容性，避免的重复设计，节省了成本；将不同PCB板布线的差异性进行补偿处理，使得并联IGBT更好的均流，提高了IGBT使用的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 双管 并联 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，其特征在于，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT配置保护装置，所述IGBT配置保护装置用于对IGBT的集电极和发射极之间进行箝位，将集电极和发射极之间的电压箝位在预设范围内，阻止集电极和发射极之间的电压进一步升高；所述IGBT配置保护装置还用于对集电极和发射极之间的电压进行采样，配合完成短路功能的实现，所述IGBT配置保护装置包括：门极驱动电阻；用于接收IGBT驱动信号的连接器；安装于IGBT辅助GE极上的电极端子。
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