[发明专利]IGBT双管并联功率模块

权利要求书

1.一种IGBT双管并联功率模块，包括高压端子盒、复合目排、若干并联设置于高压端子盒和复合目排之间的IGBT、以及和所述IGBT相连的低压连接器，其特征在于，所述一个或多个IGBT与低压连接器之间设有IGBT配置保护装置，所述IGBT配置保护装置用于对IGBT的集电极和发射极之间进行箝位，将集电极和发射极之间的电压箝位在预设范围内，阻止集电极和发射极之间的电压进一步升高；所述IGBT配置保护装置还用于对集电极和发射极之间的电压进行采样，配合完成短路功能的实现，所述IGBT配置保护装置包括：

门极驱动电阻；

用于接收IGBT驱动信号的连接器；

安装于IGBT辅助GE极上的电极端子。

2.根据权利要求1所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述模块还包括用于固定高压端子盒和IGBT的水冷基板。

3.根据权利要求2所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述IGBT与水冷基板相接触的一面上涂覆有导热硅脂层。

4.根据权利要求2所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述模块还设有一框架，所述水冷基板与框架固定安装。

5.根据权利要求4所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述低压连接器与框架固定安装。

6.根据权利要求4所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述框架上固定安装有若干门极驱动组件。

7.根据权利要求6所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述IGBT触发装置与门极驱动组件固定对应安装。

8.根据权利要求2所述的IGBT双管并联功率模块，其特征在于，所述模块还包括若干与水冷基板固定安装的支撑端子。