[发明专利]基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法

摘要

本发明公开了基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法，采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术制备P型掺杂纳米晶硅薄膜材料，并使其与ITO一起构成OLED的复合阳极，此复合阳极具有吸收率低、近似半反半透的光学特性，与高反射率的阴极Al使OLED产生了微腔效应，使得器件出光强度增大，电流效率和功率效率均有显著提高；而且，微腔的色坐标较常规OLED器件的色坐标有很大的改善，更加接近于标准值。这说明由于微腔效应使器件出光的色纯度更好，这有利于三基色合成彩色的实现。

主权项

基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，包括具有基板（1）并包含形成于阴极（2）和阳极（3）组成的两个电极之间的微腔（4），所述微腔（4）包括多个有机层，所述有机层有至少一个发光层，其特征在于：所述的阳极（3）由P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）和铟锡氧化物（ITO）层（32）复合制成，所述P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）位于基板（1）的上方。