[发明专利]基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管，特别是一种微腔式OLED及其制作方法。 

背景技术

有机电致发光器件，又称有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）。OLED具有自发光的特性，采用非常薄的有机薄膜材料和基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因为此OLED屏幕具备了许多LCD不可比拟的优势。有机电致发光器件（OLED）因较之其它显示、照明技术的显著性能优势和低成本，被视为具有巨大应用前景的新一代显示与照明技术。 

OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与正极相连，再加上另一个金属阴极，形成如三明治的结构。整个结构层中包括了：玻璃衬底、ITO阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)、金属阴极。 

但是，常规结构的OLED器件，不仅器件发光效率与发光亮度都较低，而且其发光光谱半高宽较宽，红、绿、蓝色坐标与标准值有一定偏差，这使得由红、绿、蓝三种OLED器件发光合成彩色易形成偏差，不利于三基色合成彩色的实现。 

发明内容

基于以上常规器件的出光效率以及色纯度等方面存在的不足，本发明的目的在于提供一种出光强度增大，电流效率和功率效率均有显著提高的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法。 

本发明解决其问题所采用的技术方案是： 

基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，包括具有基板并包含形成于阴极和阳极组成的两个电极之间的微腔，所述微腔包括多个有机层，所述有机层有至少一个发光层，所述的阳极由P型掺杂纳米晶硅薄膜和铟锡氧化物（ITO）层复合制成，所述P型掺杂纳米晶硅薄膜位于基板的上方。 

进一步，所述微腔包括位于阳极之上的空穴注入层，位于空穴注入层之上的空穴传输层，位于空穴传输层之上阴极之下的有机发光层。 

进一步，所述的空穴注入层为氧化钼（MoO₃）层。 

进一步，所述空穴传输层为NPB层。 

进一步，所述的有机发光层为Alq层。 

进一步，所述的阴极由氟化锂（LiF）层和金属铝（Al）层复合而成。 

用于制造上述基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED的方法，该OLED具有基板并包含形成于阴极和阳极组成的两个电极之间的微腔，所述微腔包括多个有机层，所述有机层有至少一个发光层，该方 法特征其特征在于，所述阳极采用以下方法制成：通过甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术，制备P型掺杂纳米晶硅薄膜（P+-nc-Si:H），并使其与铟锡氧化物（ITO）层一起构成OLED的复合阳极。 

进一步，所述P型掺杂纳米晶硅薄膜的沉积采用PECVD沉积系统，以光学玻璃为衬底，激发频率为60MHz，电极为平行板电容式结构，电极间距为2.1cm，掺杂剂为B₂H₆。 

作为上述的进一步改进，上述P型掺杂纳米晶硅薄膜的制备条件为：硅烷浓度为2％，衬底温度为230℃,沉积压强为0.7Torr，功率的变化范围为12～20w，硼掺杂浓度为0.8％。 

本发明的有益效果是：本发明采用的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，所述的阳极由P型掺杂纳米晶硅薄膜和铟锡氧化物（ITO）层复合制成，此复合阳极具有吸收率低、近似半反半透的光学特性，与高反射率的阴极Al使OLED产生了微腔效应，使得器件出光强度增大，电流效率和功率效率均有显著提高；而且，微腔的色坐标较常规OLED器件的色坐标有很大的改善，更加接近于标准值。这说明由于微腔效应使器件出光的色纯度更好，这有利于三基色合成彩色的实现。 

本发明采用的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED的制作方法，采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术制备P型掺杂纳米晶硅薄膜材料，并使其与铟锡氧化物（ITO）层一起构成OLED的复合 阳极，此复合阳极具有吸收率低、近似半反半透的光学特性，与高反射率的阴极Al使OLED产生了微腔效应，使得器件出光强度增大，电流效率和功率效率均有显著提高；而且，微腔的色坐标较常规OLED器件的色坐标有很大的改善，更加接近于标准值。这说明由于微腔效应使器件出光的色纯度更好，这有利于三基色合成彩色的实现。 

附图说明

下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。 

图1是本发明OLED的结构示意图。