[发明专利]基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED及其制作方法

权利要求书

1.基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，包括具有基板（1）并包含形成于阴极（2）和阳极（3）组成的两个电极之间的微腔（4），所述微腔（4）包括多个有机层，所述有机层有至少一个发光层，其特征在于：所述的阳极（3）由P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）和铟锡氧化物（ITO）层（32）复合制成，所述P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）位于基板（1）的上方。

2.根据权利要求1所述的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，其特征在于：所述微腔（4）包括位于阳极（3）之上的空穴注入层（41），位于空穴注入层（41）之上的空穴传输层（42），位于空穴传输层（42）之上阴极（2）之下的有机发光层（43）。

3.根据权利要求2所述的基于纳米硅薄膜复合阳极（3）的微腔式OLED，其特征在于：所述的空穴注入层（41）为氧化钼（MoO₃）层。

4.根据权利要求2所述的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，其特征在于：所述空穴传输层（42）为NPB层。

5.根据权利要求2所述的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，其特征在于：所述的有机发光层（43）为Alq层。

6.根据权利要求2所述的基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED，其特征在于：所述的阴极（2）由氟化锂（LiF）层（21）和金属铝（Al）层（22）复合而成。

7.用于制造权利要求1至6任一基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED的方法，该OLED具有基板（1）并包含形成于阴极（2）和阳极（3）组成的两个电极之间的微腔（4），所述微腔（4）包括多个有机层，所述有机层有至少一个发光层，该方法特征其特征在于，所述阳极（3）采用以下方法制成：通过甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术，制备P型掺杂纳米晶硅薄膜（31），并使其与铟锡氧化物（ITO）层（32）一起构成OLED的复合阳极（3）。  

8.根据权利要求7所述的用于制造基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED的方法，其特征在于：所述P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）的沉积采用PECVD沉积系统，以光学玻璃为衬底，激发频率为60MHz，电极为平行板电容式结构，电极间距为2.1cm，掺杂剂为B₂H₆。

9.根据权利要求7所述的用于制造基于纳米硅薄膜复合阳极的微腔式OLED的方法，其特征在于：上述P型掺杂纳米晶硅薄膜（31）的制备条件为：硅烷浓度为2％，衬底温度为230℃,沉积压强为0.7Torr，功率的变化范围为12～20w，硼掺杂浓度为0.8％。