[发明专利]配气系统无效
申请号: | 201310303810.X | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103352207A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 林翔;黄贺 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种气相沉积设备的配气系统,包括第一气体单元、第一气体输送管道和供气管,所述供气管的输出端连接所述反应腔,所述第一气体输送管道的输出端连接所述供气管,所述第一气体输送管道的输入端连接所述第一气体单元,所述第一气体单元向所述第一气体传输管道输出包括第一反应源和第一载气的第一气体;所述第一气体传输管道上设置有一第一反应源浓度检测仪,所述第一反应源浓度检测仪用于检测所述第一气体传输管道内所述第一气体中的第一反应源的浓度,所述第一反应源浓度检测仪的检测点与所述第一气体传输管道的输出端的距离小于等于500mm。本发明提供的配气系统能够较为准确地反映进入到反应腔中的第一反应源的量。 | ||
搜索关键词: | 系统 | ||
【主权项】:
一种气相沉积设备的配气系统,所述配气系统用于向所述气相沉积设备的反应腔输出反应气体,所述配气系统包括第一气体单元、第一气体输送管道和供气管,所述供气管的输出端连接所述反应腔,所述第一气体输送管道的输出端连接所述供气管,所述第一气体输送管道的输入端连接所述第一气体单元,所述第一气体单元向所述第一气体传输管道输出包括第一反应源和第一载气的第一气体,所述第一气体通过所述第一气体传输管道通入到所述供气管中;所述供气管中流通有流向所述反应腔的第二载气,所述第一气体通入到所述供气管后,与所述第二载气混合后流入到所述反应腔中,其中,所述第二载气的流量大于等于所述第一气体流量的5倍,所述第一气体传输管道能够吸附所述第一反应源;其特征在于:所述第一气体传输管道上设置有一第一反应源浓度检测仪,所述第一反应源浓度检测仪用于检测所述第一气体传输管道内所述第一气体中的第一反应源的浓度,所述第一反应源浓度检测仪的检测点与所述第一气体传输管道的输出端的距离小于等于500mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光垒光电科技(上海)有限公司,未经光垒光电科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310303810.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的