[发明专利]三氯硅烷制造装置及三氯硅烷的制造方法有效
申请号: | 201310302831.X | 申请日: | 2009-08-03 |
公开(公告)号: | CN103496704A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 石井敏由记;驹井荣治;佐藤春美 | 申请(专利权)人: | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及三氯硅烷制造装置及其制造方法。具体而言,本发明的三氯硅烷制造装置在分解炉(2)内设有加热分解炉(2)的内部的加热装置(8)、沿分解炉(2)的上下方向将聚合物和氯化氢引导至内底部并从下端开口部(3a)供给至分解炉(2)内的原料供给管(3)、从形成于原料供给管(3)的外周面和分解炉(2)的内周面之间的反应室(13)的上部导出反应气体的气体导出管(4),在原料供给管(3)的外周面或分解炉(2)的内周面的至少一者上一体地形成有翅片(14),该翅片在反应室(13)内一边搅拌从原料供给管(3)的下端开口部(3a)供给的聚合物和氯化氢的混合流体一边引导其上升。 | ||
搜索关键词: | 硅烷 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种三氯硅烷制造装置,其将含有高沸点氯硅烷类的聚合物分解并制造三氯硅烷,其中,所述高沸点氯硅烷类在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中产生,所述三氯硅烷制造装置设有使所述聚合物和氯化氢在高温下反应并生成三氯硅烷的分解炉、加热所述分解炉的内部的加热装置、沿所述分解炉的上下方向将所述聚合物和所述氯化氢引导至内底部并使其从下端开口部供给至分解炉内的原料供给管、在所述原料供给管的外周面和所述分解炉的内周面之间形成的反应室、以及从所述反应室的上部导出反应气体的气体导出管,在所述原料供给管的外周面或所述分解炉的内周面的至少一者上一体地形成有翅片,所述翅片一边混合从所述原料供给管的下端开口部供给的所述聚合物和所述氯化氢一边引导所述聚合物和所述氯化氢上升。
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