[发明专利]多端口存储器件的方法及其结构有效
| 申请号： | 201310292129.X | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103544981B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | P·H·派雷;J·D·伯纳特 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C5/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及多端口存储器件的方法及其结构。存储器件（10）包括使用衬底（128）形成的存储单元（11）、用于运载数据位的真位线（BL0）、以及用于运载为互补形式的所述第一真位线运载的所述数据位的互补位线（BL0B）。所述真位线耦接到所述存储单元并且在所述衬底上方横向延伸。所述真位线和所述互补位线彼此相邻并且在衬底上方垂直地堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 存储 器件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：使用衬底形成的存储单元；用于运载数据位的第一真位线，其中所述第一真位线耦接到所述存储单元并且在所述衬底之上横向延伸；以及用于运载为互补形式的所述第一真位线运载的所述数据位的第一互补位线，其中所述第一真位线和所述第一互补位线彼此相邻并且在所述衬底上方一个在另一个上边垂直地堆叠。
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