[发明专利]多端口存储器件的方法及其结构

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

使用衬底形成的存储单元；

用于运载数据位的第一真位线，其中所述第一真位线耦接到所述存储单元并且在所述衬底之上横向延伸；以及

用于运载为互补形式的所述第一真位线运载的所述数据位的第一互补位线，

其中所述第一真位线和所述第一互补位线彼此相邻并且在所述衬底上方一个在另一个上边垂直地堆叠。

2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括在平行于所述第一真位线和所述第一互补位线的行中的第一通孔堆叠和第二通孔堆叠，其中所述第一通孔堆叠将所述第一真位线耦接到所述存储单元，以及所述第二通孔堆叠将所述第一互补位线耦接到所述存储单元。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述存储单元包括第一通道晶体管和第二通道晶体管，其中所述第一通孔堆叠耦接到所述第一通道晶体管，以及所述第二通孔堆叠耦接到所述第二通道晶体管。

4.根据权利要求3所述的存储器件，还包括：

用于运载数据位的第二真位线，其中所述第二真位线耦接到所述存储单元并且平行于所述第一真位线和所述第一互补位线延伸；以及

用于运载为互补形式的所述第二真位线运载的所述数据位的第二互补位线；

其中所述第二真位线和所述第二互补位线彼此相邻并且在所述衬底上方垂直地堆叠。

5.根据权利要求4所述的存储器件，还包括：

第三通孔堆叠和第四通孔堆叠，与所述第一通孔堆叠和所述第二通孔堆叠成一直线，其中所述第三通孔堆叠将所述第二真位线耦接到所述存储单元以及所述第四通孔堆叠将所述第二互补位线耦接到所述存储单元。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述第一、第二、第三和第四通孔堆叠的行位于所述第一真位线和所述第二真位线之间。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中：

所述第一、第二、第三和第四通孔堆叠各自有由第一金属层形成的第一部分和由第二金属层形成的第二部分，第二金属层的形成与所述第一金属层的形成有时间差异，在所述时间差异期间绝缘层被形成；

所述第一真位线和所述第二真位线始于所述第二金属层，以及所述第一互补位线和所述第二互补位线始于所述第一金属层；

所述第一通孔堆叠的所述第一部分通过所述第二金属层的第一连接部分被连接到所述第一真位线；

所述第三通孔堆叠的所述第一部分通过所述第二金属层的第二连接部分被连接到所述第二真位线；

所述第二通孔堆叠的所述第一部分通过所述第一金属层的第一连接部分被连接到所述第一互补位线；以及

所述第四通孔堆叠的所述第一部分通过所述第一金属层的第二连接部分被连接到所述第二真位线。

8.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述存储单元还包括第三通道晶体管和第四通道晶体管，其中所述第三通孔堆叠耦接到所述第三通道晶体管以及所述第四通孔堆叠耦接到所述第四通道晶体管。

9.根据权利要求8所述的存储器件，还包括第一字线和第二字线，与所述第一真位线和所述第二真位线以及所述第一互补位线和所述第二互补位线正交并在其上方延伸，其中所述第一字线耦接到所述第一通道晶体管和所述第二通道晶体管的栅极以及所述第二字线耦接到所述第三通道晶体管和所述第四通道晶体管的栅极。

10.根据权利要求1所述的存储器件，还包括与所述第一真位线和所述第一互补位线正交并在其上方延伸、并且耦接到所述存储单元的字线。