[发明专利]用于多级单元的非易失性存储器的加速软读取

摘要

本公开涉及用于多级单元的非易失性存储器的加速软读取。存储器件包括包含多级存储单元的存储器阵列，以及与存储器阵列耦接的控制电路。控制电路被配置成对存储器阵列的至少一部分执行加速软读取操作。针对存储器阵列的非上页的加速软读取操作中的给定的加速软读取操作包括针对存储器阵列的对应上页的至少一个硬读取操作。例如，该给定的加速软读取操作可以包括多个硬读取操作的序列，包括针对非上页的硬读取操作以及针对对应上页的一个或更多个硬读取操作。

主权项

1.一种存储器件，包括：包括多个多级存储单元的存储器阵列；以及控制电路，与所述存储器阵列耦接并且被配置成对所述存储器阵列的至少一部分执行加速软读取操作；其中针对所述存储器阵列的非上页的所述加速软读取操作中的给定的加速软读取操作包括下页软读取操作，其中所述下页软读取操作包括多个硬读取操作的序列，所述多个硬读取操作的序列包括针对所述存储器阵列的所述非上页的第一硬读取操作以及针对所述存储器阵列的对应上页的至少一第二硬读取操作，其中用于针对所述存储器阵列的所述非上页的所述给定的加速软读取操作的读输出判决是基于上页软信息的，所述上页软信息是至少部分地从针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作获取的，其中所述上页软信息包括表示从针对所述存储器阵列的所述非上页的所述第一硬读取操作获取的结果的强度信息，且其中针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作包括所述存储器阵列的所述上页的硬读取，且其中所述存储器阵列的所述上页的所述硬读取使用由所述存储器阵列的供应商建立的但不另外用于软读取操作的预定命令执行。