[发明专利]用于多级单元的非易失性存储器的加速软读取

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

包括多个多级存储单元的存储器阵列；以及

控制电路，与所述存储器阵列耦接并且被配置成对所述存储器阵列的至少一部分执行加速软读取操作；

其中针对所述存储器阵列的非上页的所述加速软读取操作中的给定的加速软读取操作包括下页软读取操作，其中所述下页软读取操作包括多个硬读取操作的序列，所述多个硬读取操作的序列包括针对所述存储器阵列的所述非上页的第一硬读取操作以及针对所述存储器阵列的对应上页的至少一第二硬读取操作，

其中用于针对所述存储器阵列的所述非上页的所述给定的加速软读取操作的读输出判决是基于上页软信息的，所述上页软信息是至少部分地从针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作获取的，

其中所述上页软信息包括表示从针对所述存储器阵列的所述非上页的所述第一硬读取操作获取的结果的强度信息，且

其中针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作包括所述存储器阵列的所述上页的硬读取，且其中所述存储器阵列的所述上页的所述硬读取使用由所述存储器阵列的供应商建立的但不另外用于软读取操作的预定命令执行。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述控制电路包括：

软读取加速器，被配置成指定要作为所述给定的加速软读取操作的一部分来执行的硬读取操作的所述序列；

软信息发生器，被配置成执行所指定的硬读取操作序列以获得用于所述加速软读取操作的软信息；以及

软判决错误校正码解码器，与所述软信息发生器耦接并且被配置成基于为所述加速软读取操作获取的所述软信息而生成所述读输出判决。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多级存储单元包括各自存储两位数据的两级存储单元。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多级存储单元包括各自存储三位数据的三级存储单元，并且其中所述给定的加速软读取操作包括中页软读取操作和下页软读取操作之一。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述中页软读取操作包括：

针对中页的第一硬读取操作；以及

针对上页的至少一个附加硬读取操作。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述下页软读取操作包括：

针对下页的所述第一硬读取操作；以及

针对上页的至少一个附加硬读取操作。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述下页软读取操作包括：

针对下页的所述第一硬读取操作；以及

针对中页的至少一个附加硬读取操作。

8.一种用于存储器的加速软读取操作的方法，所述方法包括：

确定要对包括多个多级存储单元的存储器阵列的至少一部分执行的一个或更多个加速软读取操作；以及

执行所述加速软读取操作中的至少给定的加速软读取操作；

其中所述给定的加速软读取操作针对所述存储器阵列的非上页并且包括下页软读取操作，其中所述下页软读取操作包括多个硬读取操作的序列，所述多个硬读取操作的序列包括针对所述存储器阵列的所述非上页的第一硬读取操作以及针对所述存储器阵列的对应上页的至少一第二硬读取操作，

其中用于针对所述存储器阵列的所述非上页的所述给定的加速软读取操作的读输出判决是基于上页软信息的，所述上页软信息是至少部分地从针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作获取的，

其中所述上页软信息包括表示从针对所述存储器阵列的所述非上页的所述第一硬读取操作获取的结果的强度信息，且

其中针对所述存储器阵列的所述对应上页的所述第二硬读取操作包括所述存储器阵列的所述上页的硬读取，且其中所述存储器阵列的所述上页的所述硬读取使用由所述存储器阵列的供应商建立的但不另外用于软读取操作的预定命令执行。