[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201310278526.1 | 申请日： | 2013-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN103525323A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 荒桥知未;横井启时 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法。所述半导体晶片表面保护用胶带为在对半导体晶片的背面进行磨削时所用的表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，该粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，是厚度薄于上述半导体晶片的表面凹凸的粘合剂层，利用下式(1)求得的胶粘力的变化率为30%以上。式(1)[Tα-Tβ(空气)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100式中，Tα表示放射线照射之前的胶粘力的测定值，Tβ(空气)表示在空气中以照射量为500mJ/cm2进行放射线照射之后的胶粘力的测定值，Tβ(N2)表示在氮气气氛以照射量为500mJ/cm2进行放射线照射之后的胶粘力的测定值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 胶带 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片表面保护用胶带，其为在对半导体晶片的背面进行磨削时所用的表面保护用胶带，该胶带的特征在于：在基材膜上具有粘合剂层；上述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，是厚度薄于上述半导体晶片的表面凹凸的粘合剂层，在空气中或氮气气氛下，在进行紫外线照射量为500mJ/cm2的照射前后，由下式(1)求得的胶粘力的变化率为30%以上；式(1)[Tα‑Tβ(空气)]÷[Tα‑Tβ(N2)]×100上式中，Tα表示放射线照射之前的胶粘力的测定值，Tβ(空气)表示在空气中以照射量为500mJ/cm2进行放射线照射之后的胶粘力的测定值，Tβ(N2)表示在氮气气氛下以照射量为500mJ/cm2进行放射线照射之后的胶粘力的测定值。
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