[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法。更详细地说，本发明涉及下述半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法，在对半导体晶片进行磨削时，为了防止半导体晶片的破损、灰尘浸入或渗出等污染，该半导体晶片表面保护用胶带用于对半导体晶片的安装有集成电路一侧的面进行保护。 

【背景技术】

半导体封装件如下进行制造：对高纯度硅单晶等进行切片，制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造得到半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，将半导体晶片加工成所期望的厚度。此时，为了对在半导体晶片表面所形成的集成电路进行保护，使用半导体晶片表面保护用胶带。对于背面磨削后的半导体晶片，在背面磨削结束后收纳到晶片盒中，搬运到切割工序，加工成半导体芯片。 

以往，在磨削、研磨工序中，为了防止半导体晶片的破损、污染，使用半导体晶片表面保护用胶带，具体地说，将半导体晶片表面保护胶带隔着其粘合剂层贴在晶片表面来对晶片表面进行保护，之后对该晶片的背面进行机械磨削。完成该工序之后，将该胶带由晶片表面剥离。 

表面保护用胶带的重要特性之一为相对于晶片表面的密合性。从防止晶片破损、渗出等污染性的方面考虑，要求相对于晶片表面凹凸的密合性。通常，在半导体晶片的表面存在有由于所装入的集成电路器件所致的凹凸。 

近年来，随着半导体业界的技术革新，出现了具有难以应用现有半导体带的表面形状的半导体晶片。特别是存在将半导体集成电路表面配置在下侧而与基板进行连接的被称为倒装芯片安装的安装方法，作为具有适于该安装方法等的芯片的半导体晶 片，具有突起状凸点电极。具体地说，突起状凸点电极修饰为焊料、金、铜、银等，形状有球状、圆柱状等。凸点电极是由晶片表面突出而形成的，晶片表面与电极顶点的差一般为100μm左右，但为了确保安装可靠性，也出现了该差值超过200μm的情况。 

进一步地，近年来，在严格的成本限制中，要求电子器件进一步小型化、轻量化、高性能化。与此相伴，为了对应于半导体芯片的增加或小型化，而产生了用于确保安装可靠性的高阶梯差化、或者间距宽度狭窄的突起状凸点电极修饰所致的高密化的需要，出现了具有现有半导体晶片表面保护用胶带难以适应的表面形状的晶片。 

此外，关于间距宽度，在晶片表面设置高度为100μm左右的焊料球凸点电极的情况下，以往间距宽度一般为500μm左右，但目前小于300μm成为主流。进一步也见到了间距甚至为200μm左右的情况。 

对于凸点径大、高且具有窄间距的凸点电极的晶片，作为基于现有半导体晶片表面保护用胶带的解决途径，采取了降低粘合剂层的弹性模量使其变软的方法；或者使粘合剂厚度为凸点以上的高度来追从晶片表面的凹凸，从而防止晶片破损、抑制渗出的方法(例如参见专利文献1)。 

但是，在凸点高度为150μm以上时，为了完全追从，必须要使粘合剂非常软，在从磨削后的晶片剥离胶带时，存在部分粘合剂残留在晶片表面(所谓的余胶(糊残り))的问题。而且，该余胶会污染晶片表面，对集成电路器件产生电气性不良等影响。 

为了解决该问题，提出了进行基于粘合剂的紫外线固化反应的密合性和余胶抑制的尝试的方法(例如参见专利文献2)。紫外线固化反应如下发生：在光聚合引发剂的存在下，光引发剂由于紫外线照射而变成自由基，该自由基与粘合剂的具有聚合性基团的聚合物、低聚物或者单体发生反应而使其活化，聚合物、低聚物、单体彼此链连接，从而发生紫外线固化反应。与此相伴，作为特性，也会产生粘合力降低与粘合剂的固化收缩。粘合力、固化收缩根据双键量与光聚合引发剂量或聚合物种类的不同而不同，通过对其进行调整，可降低紫外线照射之前的密合性与紫外线照射后(剥离后)的余胶。但是，在该方法中，若凸点径大、高并且为窄间距，则利用该方法无法应对。 

例如，在使粘合剂完全密合于上述凸点的情况下，由于紫外线照射之前的硬度变软，因而有追从性，在紫外线固化反应后可进行剥离；由于有追从性，因而所照射的紫外线不会到达位于凸点根部的粘合剂处、粘合力不会降低，从而还存在产生余胶的 问题。