[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其为在对半导体晶片的背面进行磨削时所用的表面保护用胶带，该胶带的特征在于：

在基材膜上具有粘合剂层；

上述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，是厚度薄于上述半导体晶片的表面凹凸的粘合剂层，在空气中或氮气气氛下，在进行紫外线照射量为500mJ/cm²的照射前后，由下式(1)求得的胶粘力的变化率为30%以上；

式(1)

[Tα-Tβ(空气)]÷[Tα-Tβ(N₂)]×100

上式中，Tα表示放射线照射之前的胶粘力的测定值，Tβ(空气)表示在空气中以照射量为500mJ/cm²进行放射线照射之后的胶粘力的测定值，Tβ(N₂)表示在氮气气氛下以照射量为500mJ/cm²进行放射线照射之后的胶粘力的测定值。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，在照射量为500mJ/cm²的条件下进行照射，所述粘合剂层相对于不锈钢的放射线照射前后的粘合力降低率为50%以上；该粘合剂层相对于不锈钢的粘合力在放射线照射之前为2.0N/25mm～12.0N/25mm、在放射线照射之后为0.05N/25mm～1.8N/25mm。

3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的表面在放射线固化前的纯水接触角为70°以上。

4.如权利要求2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的表面在放射线固化前的纯水接触角为70°以上。

5.如权利要求1～4的任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的厚度薄于凸点高度。

6.一种半导体晶片的制造方法，该半导体晶片的制造方法包含下述工序：利用在基材膜上具有粘合剂层的表面保护用胶带来保护半导体晶片的晶片表面，对该晶片的背面进行磨削，从而加工得到半导体晶片；该方法的特征在于：

上述表面保护用胶带使用了粘合剂层薄于上述半导体晶片的表面凹凸的表面保护用胶带；

上述表面保护用胶带的上述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，该粘合剂层与晶片表面的底部即凹部的、由下式(1)求得的胶粘力的变化率为30%以上；

式(1)

[Tα-Tβ(空气)]÷[Tα-Tβ(N₂)]×100

上式中，Tα表示放射线照射之前的胶粘力的测定值，Tβ(空气)表示在空气中以照射量为500mJ/cm²进行放射线照射之后的胶粘力的测定值，Tβ(N₂)表示在氮气气氛下以照射量为500mJ/cm²进行放射线照射之后的胶粘力的测定值。

7.如权利要求6所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，在照射量为500mJ/cm²的条件下进行照射，所述粘合剂层相对于不锈钢的放射线照射前后的粘合力降低率为50%以上；该粘合剂层相对于不锈钢的粘合力在放射线照射之前为2.0N/25mm～12.0N/25mm、在放射线照射之后为0.05N/25mm～1.8N/25mm。

8.如权利要求6所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，所述粘合剂层的表面在放射线固化前的纯水接触角为70°以上。

9.如权利要求7所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，所述粘合剂层的表面在放射线固化前的纯水接触角为70°以上。

10.如权利要求6～9的任一项所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，所述粘合剂层的厚度薄于半导体晶片表面的凸点高度。