[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310273449.0 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103354244A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氧化物半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、信道层、绝缘层、第一导体以及第二导体。信道层设置于源极以及漏极之间且与源极以及漏极彼此分离。绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。第一导体至少设置于绝缘层的第一开口中以与源极以及信道层接触。第二导体至少设置于绝缘层的第二开口中以与漏极以及信道层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：一源极以及一漏极；一信道层，设置于该源极以及该漏极之间且与该源极以及该漏极彼此分离；一绝缘层，覆盖该源极、该漏极以及该信道层，该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口，该第一开口暴露出部分该源极以及部分该信道层，该第二开口暴露出部分该漏极以及部分该信道层；一第一导体，至少设置于该第一开口中以与该源极以及该信道层耦接；以及一第二导体，至少设置于该第二开口中以与该漏极以及该信道层耦接。
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