[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1. 一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一源极以及一漏极；

一信道层，设置于该源极以及该漏极之间且与该源极以及该漏极彼此分离；

一绝缘层，覆盖该源极、该漏极以及该信道层，该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口，该第一开口暴露出部分该源极以及部分该信道层，该第二开口暴露出部分该漏极以及部分该信道层；

一第一导体，至少设置于该第一开口中以与该源极以及该信道层耦接；以及

一第二导体，至少设置于该第二开口中以与该漏极以及该信道层耦接。

2. 如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该第一导体与该第二导体属于同一膜层。

3. 如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括一栅极，该信道层设置于该栅极上且位于该绝缘层与该栅极之间。

4. 如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括一栅极，该栅极设置于该信道层上，该绝缘层位于该栅极与该信道层之间。

5. 一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

形成一源极以及一漏极；

于该源极以及该漏极之间形成一信道层，且该信道层与该源极以及该漏极彼此分离；

形成一绝缘层，该绝缘层覆盖该源极、该漏极以及该信道层，该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口，该第一开口暴露出部分该源极以及部分该信道层，该第二开口暴露出部分该漏极以及部分该信道层；

至少于该第一开口中形成一第一导体，该第一导体与该源极以及该信道层耦接；以及

至少于该第二开口中形成一第二导体，该第二导体与该漏极以及该信道层耦接。

6. 如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一导体与该第二导体同时形成。

7. 如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括在形成该源极以及该漏极之前，形成一栅极，该信道层设置于该栅极上且位于该绝缘层与该栅极之间。

8. 如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括在形成该第一导体以及该第二导体之后，形成一栅极，该栅极设置于该信道层上，且该绝缘层位于该栅极与该信道层之间。

9. 如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括在形成该信道层之后以及形成该绝缘层之前，对该源极以及该漏极进行一表面处理程序。

10. 如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该绝缘层更具有一第三开口，该第三开口暴露出该漏极的一部分，且该氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法更包括：

在形成该绝缘层之后，至少于该第三开口中形成一像素电极，且该像素电极与该漏极耦接。