[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

    本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，且特别是有关于一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

  一般而言，组成氧化物半导体薄膜晶体管的多个组件(如栅极、源极、漏极、信道层以及像素电极等组件)会分别以多道制程来制作。其中，源极与漏极通常以同一道制程制作，而信道层以另一道制程制作，而且此两道制程的先后顺序并不限定。举例而言，可以先形成源极以及漏极后，接着再形成信道层，其中，在以镀膜制程形成信道层的材料层时，制程中的环境气体（如氧气电浆，oxygen plasma）可能会在源极以及漏极的表面形成一层氧化层。接着，当信道层覆盖源极以及漏极时，信道层与源极之间以及信道层与漏极之间会存在此氧化层而具有较高的接触阻抗，因此破坏氧化物半导体薄膜晶体管组件可靠度。

   另外一种制造方法是，先形成信道层后，再形成源极以及漏极。不过，在以蚀刻制程图案化导电层以形成源极以及漏极时，位于源极以及漏极之间的信道层可能因为蚀刻液的影响而受到损害，因此破坏氧化物半导体薄膜晶体管的组件可靠度。

发明内容

  本发明的氧化物半导体薄膜晶体管包括一源极、一漏极、一信道层、一绝缘层、一第一导体以及一第二导体。信道层设置于源极以及漏极之间且与源极以及漏极彼此分离。绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。第一导体至少设置于绝缘层的一第一开口中以与源极以及信道层接触。第二导体至少设置于绝缘层的一第二开口中以与漏极以及信道层接触。

   本发明的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤。形成一源极以及一漏极。于源极以及漏极之间形成一信道层，且信道层与源极以及漏极彼此分离。形成一绝缘层，绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。至少于绝缘层的一第一开口中形成一第一导体，第一导体与源极以及信道层接触。至少于绝缘层的一第二开口中形成一第二导体，第二导体与漏极以及信道层接触。

  基于上述，本发明氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，将信道层与源极以及漏极分离设置，第一导体经过绝缘层的第一开口与信道层与源极连接，第二导体经过绝缘层的第二开口与信道层与漏极连接，因此形成组件可靠度高的氧化物半导体薄膜晶体管。

   为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

    图1A至图1E为本发明一实施例的氧化物半导体薄膜晶体管的制造流程上视示意图。

图2A至图2E分别为沿图1A至图1E的剖线A-A’的剖面示意图。

图3为本发明另一实施例的氧化物半导体薄膜晶体管的制造流程上视示意图。

图4分别为沿图3的剖线A-A’的剖面示意图。

图5A至图5B为本发明另一实施例的氧化物半导体薄膜晶体管的制造流程上视示意图。

图6A至图6B分别为沿图5A至图5B的剖线A-A’的剖面示意图。

【主要组件符号说明】

    100、100a、100b：氧化物半导体薄膜晶体管

102：基板

110：栅绝缘层

120：绝缘层

A-A’：剖线

C1：第一导体

C2：第二导体

CH：信道层

D：漏极

DL：数据线

G：栅极

H1：第一开口

H2：第二开口

H3：第三开口

P、P1、P2：像素结构

PE：像素电极

S：源极

SL：扫描线。

具体实施方式