[发明专利]一种低电压二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种低电压二极管及其制造方法。该方法包括以下步骤在第一导电类型的外延层上形成具有开口的绝缘层；以所述绝缘层作为掩膜，在外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂区以与所述外延层形成PN结；在所得到结构的表面上依次淀积夹层保护层和金属层；刻蚀所述金属层得到所述二极管的电极层；选择具有高选择比的刻蚀剂，以所述电极层作为掩膜对所述夹层保护层进行选择性刻蚀，以使刻蚀得到的所述夹层保护层具有与所述电极层相同的外边界。根据本发明制作的低电压二极管，不仅产品合格率得到显著提高，而且由于制作工艺简化，生产效能获得相应提升。

主权项

一种二极管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在第一导电类型的外延层上形成具有开口的绝缘层；以所述绝缘层作为掩膜，在所述外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂区以与所述外延层形成PN结，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在所得到结构的表面上淀积夹层保护层；在所述夹层保护层上淀积金属层；刻蚀所述金属层得到所述二极管的一电极层；选择具有高选择比的刻蚀剂，以所述电极层作为掩膜对所述夹层保护层进行选择性刻蚀，以使刻蚀得到的所述夹层保护层具有与所述电极层相同的外边界。