[发明专利]一种低电压二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

在第一导电类型的外延层上形成具有开口的绝缘层；

以所述绝缘层作为掩膜，在所述外延层中形成第二导电类型的高浓度掺杂区以与所述外延层形成PN结，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

在所得到结构的表面上淀积夹层保护层；

在所述夹层保护层上淀积金属层；

刻蚀所述金属层得到所述二极管的一电极层；

选择具有高选择比的刻蚀剂，以所述电极层作为掩膜对所述夹层保护层进行选择性刻蚀，以使刻蚀得到的所述夹层保护层具有与所述电极层相同的外边界。

2.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于；在所得到的结构的所述电极层的对侧上形成对向电极层。

3.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于，在以电极层作为掩膜对夹层保护层进行选择性刻蚀的步骤后，该方法进一步包括，对所得到的结构进行合金化处理，以形成欧姆接触。

4.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述淀积夹层保护层的步骤为通过蒸发或溅射淀积阻挡金属层的步骤。

5.如权利要求4所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述金属层为铝层，所述夹层保护层为镍铬阻挡金属层。

6.如权利要求5所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述选择性刻蚀的刻蚀剂为浓硝酸和硝酸铈氨的混合溶液。

7.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述淀积夹层保护层的步骤进一步包括

通过低压化学气相淀积淀积多晶硅层；

通过离子注入或扩散在所述多晶硅层中掺杂第二导电类型的杂质。

8.如权利要求7所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述选择性刻蚀的刻蚀剂为SF₆和He的混合气体。

9.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述对夹层保护层进行选择性刻蚀的步骤进一步包括控制刻蚀终点以防止对得到的结构过刻蚀。

10.如权利要求1所述的二极管的制造方法，其特征在于，所述形成具有开口的绝缘层的步骤进一步包括在绝缘层上形成刻蚀阻挡层的步骤。

11.一种二极管，依次包括

第一电极层；

第一电极层上的硅衬底；

硅衬底上第一导电类型的外延层；

所述外延层中与第一导电类型相反的第二导电类型的高浓度掺杂区；

所述外延层上具有暴露所述掺杂区的开口的绝缘层；

位于所述掺杂区和部分绝缘层上的夹层保护层；

位于所述夹层保护层上的第二电极层，

其特征在于，

所述夹层保护层和所述第二电极层具有完全相同的外边界。

12.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，

所述第二电极层由选自铝、银、钛银、钛镍银、钛镍金、铝钛镍金的材料制成。

13.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，

所述夹层保护层由选自铬、钛钨、镍铬合金或多晶硅的材料制成。

14.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，

所述第二电极层为铝层，所述夹层保护层为镍铬层或第二导电类型的掺杂多晶硅层。