[发明专利]一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路有效
申请号: | 201310253482.7 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103323763A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 何燕冬;艾雷;洪杰;张钢刚;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来,将器件的特性与电路行为结合起来,可以从外部改变电路的工作条件,并且可以在各种不同的测试条件下,直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 阈值 电压 饱和 漏电 退化 电路 | ||
【主权项】:
一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,其特征在于,包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。
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