[发明专利]一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路有效

专利信息
申请号: 201310253482.7 申请日: 2013-06-24
公开(公告)号: CN103323763A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 何燕冬;艾雷;洪杰;张钢刚;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来,将器件的特性与电路行为结合起来,可以从外部改变电路的工作条件,并且可以在各种不同的测试条件下,直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。
搜索关键词: 一种 测量 阈值 电压 饱和 漏电 退化 电路
【主权项】:
一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,其特征在于,包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。
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