[发明专利]一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路有效
| 申请号： | 201310253482.7 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103323763A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;艾雷;洪杰;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 阈值 电压 饱和 漏电 退化 电路 | ||
1.一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述
PMOS晶体管的源端和衬底接电源电压VDD，栅极接输入电平Vg，NMOS晶体管的源端和衬底接地，栅极接第一数级反相器链的输出端，PMOS晶体管的漏端与NMOS晶体管的漏端相连后，连接电容、第二数级反相器链的输入端和电压比较器的同相输入端；
所述电容的另一端接地，电压比较器的反相输入端接输入参考电平Vref，其输出端接第一数级反相器链的输入端。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，NMOS晶体管宽长比大于PMOS晶体管的宽长比，所述电路产生的三角波为锯齿波。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述PMOS晶体管始终对电容进行充电，所述电压比较器控制所述NMOS晶体管是否对电容进行放电。
5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二数级反相器链连接示波器，用来测试波形的周期。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，包括：NMOS晶体管的源端和衬底接地，栅极接输入电平Vg，PMOS晶体管的源端和衬底接电源电压VDD，栅极接反相器链的输出端，PMOS晶体管的漏端与NMOS晶体管的漏端相连后，连接电容、第二数级反相器链的输入端和电压比较器的同相输入端；
电容的另一端接地，电压比较器的反相输入端接输入参考电平Vref，输出端接第一数级反相器链的输入端。
7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，PMOS晶体管的宽长比大于MN的宽长比，所述电路产生的三角波为锯齿波。
8.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述NMOS晶体管始终对电容进行放电，所述电压比较器控制PMOS晶体管是否对电容进行充电。
9.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二数级反相器链连接示波器，用来测试波形的周期。
10.如权利要求1或6所述的电路，其特征在于，所述第一数级反相器链和第二数级反相器链的尺寸逐级增大以用来驱动大电容负载。
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