[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够实现电阻特性的稳定化的半导体装置。半导体装置具有在半导体衬底（10）内形成的第一导电型的第一阱区域（11A）；以在横向从该第一阱区域（11A）离开的方式形成的第一导电型的第二阱区域（11B）；覆盖半导体衬底（10）的中间绝缘膜（20，21）；形成在中间绝缘膜（20，21）上的第一以及第二电阻层（32A，32B）；在第一阱区域（11A）和第二阱区域（11B）之间的半导体区域的正上方形成的导电层（33B）。第一电阻层（32A）以及第一阱区域（11A）构成第一电阻元件，第二电阻层（32B）以及第二阱区域（11B）构成第二电阻元件。中间绝缘膜（20，21）介于导电层（33B）和该半导体区域之间。导电层（33B）被固定为不在该半导体区域形成反转层的电位。

主权项

一种半导体装置，包括构成半导体集成电路的多个电阻元件，其特征在于，具备：第一阱区域，由在半导体衬底内形成的第一导电型的杂质扩散区域构成；第二阱区域，以在与所述半导体衬底的主面平行的横向从所述第一阱区域离开的方式形成在所述半导体衬底内，并且由具有所述第一导电型的杂质扩散区域构成；中间绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的该主面；导电层，形成在所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的半导体区域的正上方，并且被固定为不在所述半导体区域形成所述第一导电型的反转层的电位；第一电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第一阱区域电连接；以及第二电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第二阱区域电连接，所述第一电阻层以及所述第一阱区域构成第一电阻元件，所述第二电阻层以及所述第二阱区域构成第二电阻元件，所述中间绝缘膜介于所述导电层和所述半导体区域之间。