[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括构成半导体集成电路的多个电阻元件，其特征在于，具备：

第一阱区域，由在半导体衬底内形成的第一导电型的杂质扩散区域构成；

第二阱区域，以在与所述半导体衬底的主面平行的横向从所述第一阱区域离开的方式形成在所述半导体衬底内，并且由具有所述第一导电型的杂质扩散区域构成；

中间绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的该主面；

导电层，形成在所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的半导体区域的正上方，并且被固定为不在所述半导体区域形成所述第一导电型的反转层的电位；

第一电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第一阱区域电连接；以及

第二电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第二阱区域电连接，

所述第一电阻层以及所述第一阱区域构成第一电阻元件，

所述第二电阻层以及所述第二阱区域构成第二电阻元件，

所述中间绝缘膜介于所述导电层和所述半导体区域之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备介于所述中间绝缘膜和所述导电层之间的层间绝缘膜。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间绝缘膜包括在所述半导体衬底的该主面形成的元件隔离绝缘膜，

所述第一以及第二电阻层形成在所述元件隔离绝缘膜的上方。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述元件隔离绝缘膜是利用LOCOS法形成的场绝缘膜。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的所述横向的间隔比所述第一电阻层和所述第二电阻层之间的所述横向的间隔短。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一阱区域的所述横向的尺寸比所述第一电阻层的所述横向的尺寸大，

所述第二阱区域的所述横向的尺寸比所述第二电阻层的所述横向的尺寸大。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：第三阱区域，以在所述横向从所述第一阱区域离开的方式形成在所述半导体衬底内，并且由具有所述第一导电型的杂质扩散区域构成；第三电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第三阱区域电连接；第一上层布线层，将所述第一电阻层和所述第三电阻层电连接，

所述第三电阻层以及所述第三阱区域构成与所述第一电阻元件串联连接的第三电阻元件，

所述第二阱区域介于所述第一阱区域和所述第三阱区域之间。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：第四阱区域，以在所述横向从所述第二阱区域离开的方式形成在所述半导体衬底内，并且由具有所述第一导电型的杂质扩散区域构成；第四电阻层，形成在所述中间绝缘膜上并且与所述第四阱区域电连接；第二上层布线层，将所述第二电阻层和所述第四电阻层电连接，

所述第四电阻层以及所述第四阱区域构成与所述第二电阻元件串联连接的第四电阻元件，

所述第三阱区域介于所述第二阱区域和所述第四阱区域之间。