[发明专利]基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201310246968.8 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103524149A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 镰仓知之 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: C04B41/90 分类号: C04B41/90
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备。本发明的基底基板的制造方法包括以下步骤:准备绝缘体基板;在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜;在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜;对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层;以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
搜索关键词: 基底 电子器件 及其 制造 方法 以及 电子设备
【主权项】:
一种基底基板的制造方法,其特征在于,该基底基板的制造方法包括以下步骤:准备绝缘体基板;在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜;在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜;对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层;以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
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