[发明专利]基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备。

背景技术

以往，例如公知有将振动元件等功能元件收纳在封装中而构成的电子器件。并且，公知封装成为隔着接合层（焊料）对具有凹部的基底基板和覆盖凹部开口的盖（盖部）进行接合的结构。

在这种电子器件中，为了对封装的内部空间进行气密密封，将盖气密接合在基底基板上，但是，作为该接合方法，例如使用激光熔接、缝熔接、基于低熔点玻璃的接合等。关于这种激光熔接等的接合，例如，在基底基板上形成接合层（金属化层），在该接合层上重合盖，在该状态下从盖侧照射激光而使接合层熔融，由此，隔着接合层而将盖接合在基底基板上（例如参照专利文献1）。

接合层形成由W、Mo、Ag或它们的合金形成的基底层，通过无电解镀而在该基底层上形成Ni或Ni-P的金属层，在该Ni或Ni-P的金属层上形成Pd或Pd-P的金属层，进而，在该Pd或Pd-P的金属层上形成Au的金属层。

但是，在这种接合层中，在激光熔接时，在接合层中产生裂缝，在接合层或接合层与基底基板之间产生间隙，产生难以确保凹部内的气密性的问题。

【专利文献1】日本特开2007-63042号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供一种基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时在接合层中产生裂缝，保持内部空间的气密性。

本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例而实现。

[应用例1]

本发明的基底基板的制造方法的特征在于，该基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。

由此，能够得到如下的基底基板：通过抑制由于在激光熔接/缝熔接等熔接时产生的热影响而使来自接合层的镀层的排气/结晶性变化，能够抑制接合层的热变化，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝，能够保持内部空间的气密性。

并且，通过形成以钯为主成分的第2金属层，在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时，第2金属层作为阻挡层发挥功能，能够防止第2金属层的下层的镍移动到第2金属层的上层，由此，能够防止在接合层上形成镍的氧化物。由此，接合层上的焊料的浸润性不会丧失，能够保持内部空间的气密性。

[应用例2]

在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述基底基板的制造方法在所述烧结处理之后形成所述第2金属层的步骤之前包括以下步骤：在所述第1金属层上形成包含镍和硼且厚度为0.5μm以下的第3金属层，在所述第3金属层上形成所述第2金属层。

由此，能够使接合层的厚度更厚。

[应用例3]

在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述第2膜中的硼的浓度为3%质量百分比以下。

由此，能够更加可靠地防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝。

[应用例4]

在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述基底基板的制造方法包括以下步骤：在所述第2金属层上形成包含金的第4金属层。

由此，能够提高接合层的浸润性。

[应用例5]

在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述第2金属层中的钯以外的成分的浓度为5%质量百分比以下。

由此，能够提高所述第2金属层的作为阻挡层的功能。

[应用例6]

本发明的电子器件的制造方法的特征在于，该电子器件的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层而得到基底基板；在所述基底基板上设置电子部件；以及隔着所述第1金属层和所述第2金属层而在所述基底基板上接合盖部。

由此，通过抑制由于在激光熔接/缝熔接等熔接时产生的热影响而使来自接合层的镀层的排气/结晶性变化，能够抑制接合层的热变化，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝，能够保持内部空间的气密性，能够得到高可靠性的电子器件。