[发明专利]基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种基底基板的制造方法，其特征在于，该基底基板的制造方法包括以下步骤：

准备绝缘体基板；

在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；

在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；

对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及

在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。

2.根据权利要求1所述的基底基板的制造方法，其中，

所述基底基板的制造方法在所述烧结处理之后形成所述第2金属层的步骤之前包括以下步骤：在所述第1金属层上形成包含镍和硼且厚度为0.5μm以下的第3金属层，

在所述第3金属层上形成所述第2金属层。

3.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，

所述第2膜中的硼的浓度为3%质量百分比以下。

4.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，

所述基底基板的制造方法包括以下步骤：在所述第2金属层上形成包含金的第4金属层。

5.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，

所述第2金属层中的钯以外的成分的浓度为5%质量百分比以下。

6.一种电子器件的制造方法，其特征在于，该电子器件的制造方法包括以下步骤：

准备绝缘体基板；

在所述绝缘体基板上形成以熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；

在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；

对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；

在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层而得到基底基板；

在所述基底基板上设置电子部件；以及

隔着所述第1金属层和所述第2金属层而在所述基底基板上接合盖部。

7.一种基底基板，该基底基板具有：

绝缘基板；

熔点为1000℃以上的金属和以镍为主成分且包含硼的金属在所述绝缘基板上相互扩散而成为合金的第1金属层；以及

在所述第1金属层上以钯为主成分的第2金属层。

8.一种电子器件，该电子器件具有：

权利要求7所述的基底基板；

配置在所述基底基板上的电子部件；以及

隔着所述第1金属层和所述第2金属层而固定在所述基底基板上的盖部。

9.一种电子设备，该电子设备具有权利要求8所述的电子器件。