[发明专利]一种晶体管、集成电路以及集成电路的制造方法在审
| 申请号： | 201310242364.6 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241357A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄河;李海艇;周强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管、集成电路以及集成电路的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的晶体管包括第一半导体衬底、位于第一半导体衬底的第一表面上的栅极、位于第一半导体衬底内的源极和漏极，以及位于第一半导体衬底的第二表面上用于连接源极的源极连接端子和用于连接漏极的漏极连接端子。本发明的晶体管，源极端子和漏极连接端子与栅极分别位于半导体衬底的上下两个表面，可有效降低栅极与源极、漏极间的耦合电容，提高晶体管的性能。本发明的集成电路使用了上述晶体管，可以有效降低耦合电容，提高集成电路的性能。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，制得的集成电路也具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 集成电路 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括：第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底的第一表面上的栅极、位于所述第一半导体衬底内的源极和漏极，以及位于所述第一半导体衬底的第二表面上用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述漏极的漏极连接端子；其中，所述第一表面与所述第二表面为所述第一半导体衬底的相对的两个表面。
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