[发明专利]一种晶体管、集成电路以及集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底的第一表面上的栅极、位于所述第一半导体衬底内的源极和漏极，以及位于所述第一半导体衬底的第二表面上用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述漏极的漏极连接端子；其中，所述第一表面与所述第二表面为所述第一半导体衬底的相对的两个表面。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述第一半导体衬底的第一表面上用于连接所述栅极的栅极连接端子。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述源极连接端子、所述漏极连接端子和所述栅极连接端子的材料为金属硅化物。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述第一半导体衬底的所述第二表面上的体电极。

5.如权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述体电极的材料为金属硅化物。

6.一种集成电路，其特征在于，包括第一半导体衬底和至少一个晶体管，所述晶体管包括：位于所述第一半导体衬底的第一表面上的栅极、位于所述第一半导体衬底内的源极和漏极，以及位于所述第一半导体衬底的第二表面上用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述漏极的漏极连接端子；

其中，所述第一表面与所述第二表面为所述第一半导体衬底的相对的两个表面。

7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述第一半导体衬底的第一表面上用于连接所述栅极的栅极连接端子。

8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述源极连接端子、所述漏极连接端子和所述栅极连接端子的材料为金属硅化物。

9.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述第一半导体衬底的所述第二表面上的体电极。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述体电极的材料为金属硅化物。

11.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括：位于所述晶体管所在区域之外的区域的硅通孔，其中，所述硅通孔贯穿位于所述第一半导体衬底内的第一体介电层。

12.一种集成电路的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤T101：提供第一半导体衬底，在所述第一半导体衬底的第一表面内形成具有第一深度的浅沟槽隔离；

步骤T102：在所述第一半导体衬底的第一表面上形成栅极绝缘层、栅极和栅极侧壁；

步骤T103：在所述第一半导体衬底的所述第一表面内形成源极和漏极；

步骤T104：在所述第一半导体衬底的第二表面上形成用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述漏极的漏极连接端子。

13.如权利要求12所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在所述步骤T103和所述步骤T104之间，还包括如下步骤：

在所述第一半导体衬底的第一表面上形成用于连接所述栅极的栅极连接端子。

14.如权利要求12所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在所述步骤T104中，同时还形成位于所述第一半导体衬底的所述第二表面上的体电极。

15.如权利要求12所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在所述步骤T103与所述步骤T104之间还包括如下步骤：

从所述第一半导体衬底的所述第二表面对所述第一半导体衬底内的源极和漏极区域进行离子注入处理；

对所述第一半导体衬底进行退火处理。

16.如权利要求12所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在所述步骤T103与所述步骤T104之间还包括如下步骤：

在所述第一半导体衬底的所述第一表面上接合作为承载衬底的第二半导体衬底；

对所述第一半导体衬底的第二表面进行减薄处理至第二深度，其中，所述第二深度大于或等于所述第一深度，所述第二表面与所述第一表面为所述第一半导体衬底的相对的两个表面。