[发明专利]具有伪金属部件的电感器结构及方法有效
| 申请号： | 201310241829.6 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104051435B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李孝纯;梁其翔;黄崎峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 部件 电感器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：电感器，形成在衬底上并被配置为可利用一频率的电流工作；以及伪金属部件，被配置在所述电感器和所述衬底之间，所述伪金属部件的第一宽度小于与所述频率相关联的趋肤深度的2倍，所述趋肤深度是所述频率的函数；所述电感器包括金属部件，其被配置为形成至少两匝，限定内部区域、外部区域和介于这两匝之间的间隔区域；以及所述伪金属部件包括：设置在所述内部区域中的第一子集、设置在所述外部区域中的第二子集以及设置在所述间隔区域中的第三子集。
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