[发明专利]具有伪金属部件的电感器结构及方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

电感器，形成在衬底上并被配置为可利用一频率的电流工作；以及

伪金属部件，被配置在所述电感器和所述衬底之间，所述伪金属部件的第一宽度小于与所述频率相关联的趋肤深度的2倍，所述趋肤深度是所述频率的函数；

所述电感器包括金属部件，其被配置为形成至少两匝，限定内部区域、外部区域和介于这两匝之间的间隔区域；以及

所述伪金属部件包括：设置在所述内部区域中的第一子集、设置在所述外部区域中的第二子集以及设置在所述间隔区域中的第三子集。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述伪金属部件的第一厚度小于所述趋肤深度的2倍，并且被设计为在所述电感器的工作过程中减小涡流。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，每一个所述伪金属部件均包括具有一长度、所述第一宽度和所述第一厚度的细长段，所述第一宽度和所述第一厚度基本上小于所述长度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述电感器包括电感金属部件，其所具有的第二厚度和第二宽度基本上分别大于所述第一厚度和所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

所述伪金属部件的所述第一子集以与所述电感器相距第一间隙的方式设置在所述内部区域中；以及

所述伪金属部件的所述第二子集以与所述电感器相距第二间隙的方式设置在所述外部区域中。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一间隙和所述第二间隙相等。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述伪金属部件被配置在所述电感器下方的多层中。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述伪金属部件包括具有非闭环的围栏形状的子集。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述伪金属部件包括具有矩形的子集。

10.一种半导体结构，包括：

电感器，形成在衬底上并被配置为形成第一匝和第二匝，定义内部区域、外部区域以及介于所述第一匝和所述第二匝之间的间隔区域；以及

伪金属部件，配置在所述电感器和所述衬底之间，

其中，从上往下看时，所述伪金属部件包括：设置在所述内部区域中的第一子集、设置在所述外部区域中的第二子集以及设置在所述间隔区域中的第三子集；

其中，所述电感器被配置为可利用一频率的电流工作，每一个所述伪金属部件都被设计为具有一宽度和一厚度的细长段，所述宽度和所述厚度小于作为所述频率的函数的趋肤深度的2倍。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，从上往下看时，

所述第一匝位于所述第二匝的内部；

所述内部区域位于所述第一匝的内部；以及

所述外部区域位于所述第二匝的外部。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，从上往下看时，

所述电感器被配置为进一步形成介于所述第二匝和所述外部区域之间的第三匝；以及

所述伪金属部件包括设置在介于所述第二匝和所述第三匝之间的另一个间隔区域中的第四子集。

13.一种形成具有电感器的集成电路的方法，包括：

基于趋肤效应确定伪金属部件的尺寸；

基于填充区域确定所述伪金属部件的形状；

基于图案密度以一定结构布置所述伪金属部件；以及

在所述集成电路中插入具有所述尺寸、所述形状和所述结构的所述伪金属部件，

其中，所述电感器包括金属部件，其被配置为形成至少两匝，限定内部区域、外部区域和介于这两匝之间的间隔区域；所述伪金属部件包括：设置在所述内部区域中的第一子集、设置在所述外部区域中的第二子集以及设置在所述间隔区域中的第三子集；

其中，所述电感器被配置为可利用一频率的电流工作，基于所述趋肤效应确定所述伪金属部件的尺寸包括确定所述伪金属部件的尺寸小于趋肤深度的2倍，所述趋肤深度是所述频率的函数。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，基于所述填充区域确定所述伪金属部件的形状包括：基于所述填充区域从矩形、十字形和围栏结构所组成的组中选择形状。