[发明专利]一种应用双离子束镀膜技术在W表面制备W-Cr合金层的方法有效
| 申请号： | 201310232469.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103498127A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 苟成玲;冯红丽;朱开贵 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用双离子束镀膜技术在W表面制备W-Cr合金层的方法。它是采用的双Ar离子束镀膜法，对抛光后的W基表面镀上一层薄薄的Cr膜，在W和Cr的界面处形成W-Cr合金层，该合金层晶粒粒度比W晶粒小，可以很好的改善W晶体的晶面结构，阻止晶界的形成，改善W的表面性能。对在H等离子体辐照下W中H的滞留起泡行为及其他辐照损伤的产生起到很好的阻止作用。原理图如图1，双离子束镀膜示意图,每个标号对应的名称如下：1-辅助溅射Ar离子源，2-主溅射Ar离子源，3-Cr靶材，4-样品台，5-W基片，6-Ar离子溅射源,7-真空室。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 离子束 镀膜 技术 表面 制备 cr 合金 方法 | ||
【主权项】：
一种应用双离子束镀膜技术在W表面形成W‑Cr合金层的方法，包括以W作为基底，以Cr做靶材，采用双离子束镀膜方式，其特征在于：所采用的方法是双离子束镀膜法，所用的基片是W块材，所用的靶材是Cr靶材，双离子束由溅射源和辅助溅射源，双离子束的两种溅射源是同种元素。
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