[发明专利]晶片封装体及其形成方法无效
| 申请号： | 201310229025.4 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103489846A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 何彦仕;温英男;刘沧宇 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，设置于该半导体基底之该第一表面上；一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一承载基底，设置于该介电层之上；以及一导电结构，设置于该承载基底之一下表面上，且电性接触该导电垫结构。本发明可有效缩减图案化制程的数目，并可降低光学构件的制程难度，可节省制程成本与时间，提升晶片封装体的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一承载基底，设置于该介电层之上；以及一导电结构，设置于该承载基底的一下表面上，且电性接触该导电垫结构。
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