[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，设置于该半导体基底之中；

一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；

一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；

一承载基底，设置于该介电层之上；以及

一导电结构，设置于该承载基底的一下表面上，且电性接触该导电垫结构。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一光学构件，设置于该半导体基底的该第二表面上。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该光学构件包括一滤光膜、一微透镜、或前述的组合。

4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基板，设置于该半导体基底的该第二表面上。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该半导体基底的该第二表面与该透明基板之间。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体基底的该第二表面为一平坦的表面。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，位于该承载基底之中，其中该孔洞露出该导电垫结构，且该导电结构延伸进入该孔洞而电性接触该导电垫结构。

8.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，设置于该半导体基底之中；

一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；

一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区，其中该介电层的一下表面为平坦的表面，且完全覆盖该导电垫结构；以及

一导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面之上，且电性接触该导电垫结构。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一光学构件，设置于该介电层的该下表面上。

10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该光学构件包括一滤光膜、一微透镜、或前述的组合。

11.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基板，设置于该介电层的该下表面上。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该介电层的该下表面与该透明基板之间。

13.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，位于该半导体基底之中，其中该孔洞露出该导电垫结构，且该导电结构延伸进入该孔洞而电性接触该导电垫结构，其中该导电结构与该半导体基底之间隔有一绝缘层。

14.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件区形成于该半导体基底之中；

于该半导体基底的该第一表面上设置一介电层及一导电垫结构，其中该导电垫结构位于该介电层之中，且完全被该介电层所覆盖；

于该半导体基底的该第二表面上形成一绝缘层；以及

于该半导体基底的该第二表面上形成一导电结构，其中该导电结构电性接触该导电垫结构，其中该导电结构与该半导体基底之间隔有该绝缘层。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，不包括自该介电层的一远离该半导体基底的一表面移除部分的该介电层而使该导电垫结构露出。

16.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件区形成于该半导体基底之中；

于该半导体基底的该第一表面上设置一介电层及一导电垫结构，其中该导电垫结构位于该介电层之中，且完全被该介电层所覆盖；

于该介电层之上，接合一承载基底；以及

于该承载基底的一下表面形成一导电结构，其中该导电结构电性接触该导电垫结构。

17.根据权利要求16所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括自该半导体基底的该第二表面薄化该半导体基底。