[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于以晶圆级封装制程所制得的晶片封装体。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

由于目前的晶片封装制程仍有制程过于繁杂的问题，业界亟需简化的晶片封装技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一承载基底，设置于该介电层之上；以及一导电结构，设置于该承载基底的一下表面上，且电性接触该导电垫结构。

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区，其中该介电层的一下表面为平坦的表面，且完全覆盖该导电垫结构；以及一导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面之上，且电性接触该导电垫结构。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件区形成于该半导体基底之中；于该半导体基底的该第一表面上设置一介电层及一导电垫结构，其中该导电垫结构位于该介电层之中，且完全被该介电层所覆盖；于该半导体基底的该第二表面上形成一绝缘层；以及于该半导体基底的该第二表面上形成一导电结构，其中该导电结构电性接触该导电垫结构，其中该导电结构与该半导体基底之间隔有该绝缘层。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件区形成于该半导体基底之中；于该半导体基底的该第一表面上设置一介电层及一导电垫结构，其中该导电垫结构位于该介电层之中，且完全被该介电层所覆盖；于该介电层之上，接合一承载基底；以及于该承载基底的一下表面形成一导电结构，其中该导电结构电性接触该导电垫结构。

本发明可有效缩减图案化制程的数目，并可降低光学构件的制程难度，可节省制程成本与时间，提升晶片封装体的可靠度。

附图说明

图1A显示本发明一实施例的晶片封装体的剖面图。

图1B显示本发明一实施例的晶片封装体的剖面图。

图2A-2D显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图3A-3E显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

附图中的符号简单说明如下：

100、200、300：半导体基底；

100a、100b、200a、200b、300a、300b：表面；

102、202、302：元件区；

104、204、304：介电层；

104a：开口；

106、206、306：导电垫结构；

108：承载基底；

110：绝缘层；

112：导电层；

207、307：光学构件；

208：透明基板；

209、309：间隔层；

210：孔洞；

212：绝缘层；

214：导电层；

216：保护层；

218：导电凸块；

308：承载基底；

310：透明基板；

312：孔洞；

314：绝缘层；

316：导电层；

318：保护层；

320：导电凸块；

SC：切割道。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。