[发明专利]一种低镝耐热烧结钕铁硼制备方法有效
申请号: | 201310222802.2 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN103276284A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 徐锋;李伟;朱静;陈光;卢国文;陆凤琪 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学;江苏晨朗电子集团有限公司 |
主分类号: | C22C38/00 | 分类号: | C22C38/00;C22C33/02;H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种低镝耐热烧结钕铁硼的制备方法,其特征在于以Dy-Co-Al系合金作为基于双合金工艺中的辅合金实现Dy元素的晶界引入,根据柱状晶比例与厚度对主合金铸片进行筛选,细化气流磨粉体平均尺度,降低烧结回火温度,抑制晶粒长大与Dy元素扩散,在保持优异磁性能的前提下,达到降低Dy元素含量的效果。该方法可广泛适用于高性能耐热烧结钕铁硼的制备与生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 耐热 烧结 钕铁硼 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低镝耐热烧结钕铁硼制备方法,其特征在于采用双合金工艺,其具体制备步骤如下:步骤1、配制主合金:主合金不含Dy,其主合金的主成分按原子比Nd:Fe:B=2:14:1进行调整,利用真空感应速凝铸片技术制备主合金速凝铸片,筛选厚度范围在0.2‑0.6mm的速凝铸片,其微观组织中柱状晶体积比不低于90%;步骤2、配制辅合金:按原子百分比为Dy100‑x‑y‑zCoxAlyMz进行配制,其中15 ≤ x ≤ 25,5 ≤ y ≤ 15,0 ≤ z ≤ 5,M为Ga、Cu或Nb中的一种或几种混合;步骤3、利用气雾化方法制备辅合金粉末或利用真空感应快淬技术制备辅合金速凝薄带;步骤4、将主合金速凝铸片和热处理后的辅合金速凝薄带分别进行氢破碎后分别进行脱氢处理得到合金粉末;步骤5、将主合金粉末、辅合金粉末混合,气流磨粉碎后,合金平均颗粒粒度为2‑4μm;步骤6、将研磨后的粉末置于混料机内混合,置于磁场中垂直取向,之后压制成坯件;步骤7、将压制好的坯件置于真空中烧结,烧结温度为900‑1000oC,烧结时间为2‑4h;之后在750‑900oC回火保温2‑4h后降温,再控温至450‑550oC回火保温2‑4h后气淬至室温,得到低镝耐热烧结钕铁硼磁体。
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