[发明专利]一种低镝耐热烧结钕铁硼制备方法

权利要求书

1.一种低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于采用双合金工艺，其具体制备步骤如下：

步骤1、配制主合金：主合金不含Dy，其主合金的主成分按原子比Nd:Fe:B=2:14:1进行调整，利用真空感应速凝铸片技术制备主合金速凝铸片，筛选厚度范围在0.2-0.6mm的速凝铸片，其微观组织中柱状晶体积比不低于90%；

步骤2、配制辅合金：按原子百分比为Dy_100-x-y-zCo_xAl_yM_z进行配制，其中15 ≤ x ≤ 25，5 ≤ y ≤ 15，0 ≤ z ≤ 5，M为Ga、Cu或Nb中的一种或几种混合；

步骤3、利用气雾化方法制备辅合金粉末或利用真空感应快淬技术制备辅合金速凝薄带；

步骤4、将主合金速凝铸片和热处理后的辅合金速凝薄带分别进行氢破碎后分别进行脱氢处理得到合金粉末；

步骤5、将主合金粉末、辅合金粉末混合，气流磨粉碎后，合金平均颗粒粒度为2-4μm；

步骤6、将研磨后的粉末置于混料机内混合，置于磁场中垂直取向，之后压制成坯件；

步骤7、将压制好的坯件置于真空中烧结，烧结温度为900-1000^oC，烧结时间为2-4h；之后在750-900^oC回火保温2-4h后降温，再控温至450-550^oC回火保温2-4h后气淬至室温，得到低镝耐热烧结钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于步骤3中所述的气雾化方法制备辅合金粉末的平均粒度为0.1-0.4μm，所述的辅合金速凝薄带的厚度小于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于步骤4中所述的热处理为等温晶化热处理，热处理温度为400-600^oC，热处理时间为10min-60min。

4.根据权利要求1所述的低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于步骤4中所述的脱氢处理温度为500-550℃，脱氢处理时间为2-4h。

5.根据权利要求1所述的低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于步骤5中所述的气流磨混合时辅合金粉末占合金粉末总重量的1-3%，润滑剂占合金粉末总重量的0.05-0.1%，抗氧化剂占合金粉末总重量0.5-1%，汽油占合金粉末总重量的1-5%。

6.根据权利要求1所述的低镝耐热烧结钕铁硼制备方法，其特征在于步骤6中所述的混料时间为30-90min，所述的取向磁场强度为1.5-2T。