[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201310219742.9 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103311368A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄同阳;曲铭浩;胡安红;汝小宁;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在玻璃基板上沉积前电极；对前电极进行P1激光划线；在前电极表面沉积单结或多结薄膜电池的各层系；对各层系进行P2激光划线；在各层系表面形成背电极；对包括背电极和各层系的电池组件进行热退火处理；对背电极和各层系进行P3激光划线。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法能够进一步提高P3激光划线工艺的直线性和刻线光滑清晰度。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在玻璃基板上沉积前电极；对前电极进行P1激光划线；在前电极表面沉积单结或多结薄膜电池的各层系；对各层系进行P2激光划线；在各层系表面形成背电极；对包括背电极和各层系的电池组件进行热退火处理；对背电极和各层系进行P3激光划线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建铂阳精工设备有限公司，未经福建铂阳精工设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310219742.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：天线组件
- 下一篇：电子产品性能的测试装置及测试方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
