[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201310219742.9 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103311368A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄同阳;曲铭浩;胡安红;汝小宁;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：
在玻璃基板上沉积前电极；
对前电极进行P1激光划线；
在前电极表面沉积单结或多结薄膜电池的各层系；
对各层系进行P2激光划线；
在各层系表面形成背电极；
对包括背电极和各层系的电池组件进行热退火处理；
对背电极和各层系进行P3激光划线。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述热退火处理的温度包括100-250℃的范围。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述热退火处理的时间包括20-500分钟的范围。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述热退火处理在空气、N2、H2、或Ar的气氛中进行。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述背电极为Ag、Al、Cr金属背电极或TCO/Ag、Al、Cr复合背电极。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述单结或多结薄膜电池包括微晶单结或微晶叠层薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
