[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310217366.X | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103295968A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 于涛;王哲献 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备掩膜层；根据所述掩膜层进行刻蚀，刻蚀所述分栅式闪存单元以外的所述第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，同时选择性刻蚀所述第二器件多晶硅层。本发明的半导体器件的制备方法，减少了工艺步骤，提高了生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元包含对称分布的第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元包括第一浮栅和第一控制栅，其中，所述第一浮栅和第一控制栅之间具有介质层；所述第二存储位单元包括第二浮栅和第二控制栅，其中，所述第二浮栅和第二控制栅之间具有所述介质层，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备掩膜层，所述掩膜层覆盖所述分栅式闪存单元，并选择性覆盖所述第二器件区；根据所述掩膜层进行刻蚀，刻蚀所述分栅式闪存单元以外的所述第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，同时选择性刻蚀所述第二器件多晶硅层，以形成第二器件栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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