[发明专利]半导体器件的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

图1a-图1l为现有技术中闪存制造方法的各个步骤的剖面结构示意图，如图1a所示，首先，进行步骤S01，提供半导体衬底100，半导体衬底100上具有第一器件区010和第二器件区020；

其次，进行步骤S02，在半导体衬底上100依次形成氧化物层101、第一多晶硅层110、所述介质层102、第二多晶硅层120以及第一刻蚀阻挡层111，如图1b所示；

然后，进行步骤S03，在第一器件区010内第一刻蚀阻挡层111上开窗口以及去除覆盖半导体衬底100上第二器件区020表面的第一刻蚀阻挡层111，并且，在刻蚀形成的第一刻蚀阻挡层111侧壁形成第一隔离介质层201，如图1c所示；

接着，进行步骤S04，以第一刻蚀阻挡层111以及第一隔离介质层201作掩膜，刻蚀至暴露出氧化物层101表面，得到位于半导体结构表面的第一沟槽210；然后在第二多晶硅层120侧壁形成第二隔离介质层202；之后刻蚀第一多晶硅层110、氧化物层101至暴露出半导体衬底100表面；最后在第一多晶硅层110、氧化物层101侧壁及第一隔离层201、第二隔离层202和暴露出的半导体衬底100表面形成第三隔离介质层203，如图1d所示；

随后，进行步骤S05，在步骤S04得到的半导体结构表面沉积第三多晶硅层130，如图1e所示；

接着，进行步骤S06，去除第二器件区020表面的第三多晶硅层130以及第三隔离介质层203，如图1f所示；

接着，进行步骤S07，在步骤S06所得到的半导体结构表面依次沉积隔离介质和传导材料，从而在第一器件区010表面上形成附加多晶硅层1301以及附加隔离介质层2031，并且在第二器件区020表面上重新形成附加多晶硅层1301以及附加隔离介质层2031，如图1g所示；

接着，进行步骤S08，在步骤S04得到的半导体结构表面依次沉积第二刻蚀阻挡层112和第三刻蚀阻挡层113，如图1h所示；

接着，进行步骤S09，去除覆盖第一器件区010表面的第三刻蚀阻挡层113和第二刻蚀阻挡层112、附加多晶硅层1301以及附加隔离介质层2031，并平坦化至暴露出第一刻蚀阻挡层111表面，如图1i所示；

接着，去除第一刻蚀阻挡层111和第三刻蚀阻挡层113，如图1j所示；

接着，进行步骤S11，如图1k所示，依次去除第一器件区010表面的第二多晶硅层120、介质层102、第一多晶硅层110。刻蚀后保留的第一多晶硅层110为分栅式闪存存储器的浮栅FG，刻蚀后保留的第二多晶硅层120为分栅式闪存存储器的控制栅CG。

此后，进行步骤S12，如图1l所示，在半导体衬底100上的第二器件区020内根据设计结构光刻构图，并去除多余的附加多晶硅层1301，形成半导体衬底100上其他半导体器件与外电源连接的电极130b。

所以，在现有技术中，在步骤S11中，刻蚀第一器件区010表面的第二多晶硅层120、介质层102、第一多晶硅层110，在进行步骤S12中，去除多余的附加多晶硅层1301，第一器件区010表面的第二多晶硅层120、介质层102、第一多晶硅层110的刻蚀与多余的附加多晶硅层1301的刻蚀是在两个步骤中进行的。因为一般认为根据不同的膜层使用不同的步骤进行刻蚀，因此，第二多晶硅层120、介质层102、第一多晶硅层110与附加多晶硅层1301的膜层结构不同，所以在现有技术中，不同的膜层结构需要分别进行刻蚀。但是，对第二多晶硅层120、介质层102、第一多晶硅层110与附加多晶硅层1301分别进行刻蚀，会增加一层光罩并且使用两次刻蚀步骤，增加了生产成本，降低闪存生产的效率。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种制备步骤简单、高效的半导体器件的制备方法。