[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元包含对称分布的第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元包括第一浮栅和第一控制栅，其中，所述第一浮栅和第一控制栅之间具有介质层；所述第二存储位单元包括第二浮栅和第二控制栅，其中，所述第二浮栅和第二控制栅之间具有所述介质层，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；

在所述基底上制备掩膜层，所述掩膜层覆盖所述分栅式闪存单元，并选择性覆盖所述第二器件区；

根据所述掩膜层进行刻蚀，刻蚀所述分栅式闪存单元以外的所述第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，同时选择性刻蚀所述第二器件多晶硅层，以形成第二器件栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述分栅式闪存单元为共享字线的分栅式闪存单元，所述第一存储位单元和所述第二存储位单元共享一个字线。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层、介质层以及第二多晶硅层的厚度之和小于所述第二器件多晶硅层的厚度。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层为ONO介质层，所述ONO介质层包括自下至上依次层叠的第一氧化物膜、第二氮化物膜以及第三氧化物膜，所述ONO介质层的厚度为

5.根据权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为

6.根据权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第二器件多晶硅层的厚度为

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀方法，根据所述掩膜层进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的分为主刻蚀和过刻蚀，所述主刻蚀对多晶硅与氧化物的刻蚀选择比小于等于10，所述过刻蚀对多晶硅与氧化物的刻蚀选择比大于等于100。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述主刻蚀的刻蚀气体包括氯气、氧气、溴化氢和四氟化碳。过刻蚀的刻蚀气体包括氧气和溴化氢。

10.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一器件氧化物层的材料为二氧化硅，所述第二器件氧化物层的材料为二氧化硅。